IBM تفصح عن رقاقات جديدة بسعاتٍ عالية جدًّا

[rtl]
أعلنت شركة IBM يوم الخميس بأنّها تعمل على رقاقة إلكترونيّة عالية الكثافة وبأربعة أضعاف السعة التي تحملها أقوى الرقاقات الحالية.[/rtl]
[rtl]الإعلان كان في مؤتمرٍ دوليٍّ قادته IBM، شركة الحواسيب العملاقة، وتعتبر جزء من الجهود المبذولة لتصنيع أكثر الرقاقات الحاسوبيّة المتقدمة في وادي هودسون (Hudson Valley) في نيويورك، بينما استثمرت IBM 3 مليارات دولار في شراكة بين القطاعين الخاص والعام مع ولاية نيويورك، المسابك العالمية Global Foundries))، سامسونغ ومزوّدي المعدّات الإلكترونية. قام هذا التطور بإزالة السحابة التي غطّت صناعة أشباه الموصلات (Semiconductor)، التي تكافح للحفاظ على الوتيرة الأسطورية بمضاعفة عدد الترانزستورات كل سنتين.[/rtl]
[rtl]شركة إنتل (Intel) التي كانت لعقود هي الرائدة في هذه الصناعة، واجهت تحدّيات تقنيّة في السنوات الأخيرة، بل وأكثر من ذلك، حيث بدأ بعض التقنيين بالتساؤل فيما لو كان بالإمكان استمرار وتيرة تحسين الرقاقات طويلة الأمد المعروفه بقانون مور (Moore’s Law) بعد جيل الرقاقات ذات الـ14 نانومتر.[/rtl]
[rtl]كلّ جيل من أجيال الرقاقات يُعرف بأقل حجم للوحدات الأساسية التي تسيطر على التيّار (الترانزستورات – Transistors) بفترات تُقاس بالنانو ثانية. اليوم يتم تحويل التصنيع التجاري من جيل 14-نانومتر إلى 10-نانومتر. وكل جيل يُقلّل المساحة المطلوبة لنفس الدائرة الكهربائية من الجيل السابق بحوالي 50%. رقاقات IBM الجديدة، على الرغم من أنّها لاتزال في المرحلة البحثيّة، تَبين بأنّ تقنية أشباه الموصلات ستستمر بالتقلص (مساحةً) على الأقل حتى 2018.[/rtl]
[rtl]الشركة قالت في يوم الخميس بأنّها كانت تعمل على عيّنات من الرقاقات بمقاس 7-نانومتر لكل ترانزستور. التقدم الذي حققه بحث الشركة كان بسبب استخدام السيليكون-جيرمانيوم بدلًا من السيليكون النقي في المناطق الأساسية. المادة الجديدة جعلت الترانزستورات أسرع وأقل استهلاكًا للطاقة. الحجم الصغير جدًا للترانزستورات يُبين بأنّنا نحتاج لمواد متقدمة وطرق تصنيع أكثر تقدمًا لتصنيعها بهذا الحجم الفائق الصِغر.[/rtl]
[rtl]ولمقارنة حجم الترانزستور ذو 7-نانومتر، قطر جديلة الحامض النووي المنقوص الأوكسجين (دنا – DNA) يساوي تقريبًا 2.5 نانومتر، بينما خلية الدم الحمراء يصل قُطرها لـ7500 نانومتر تقريبًا. كما بيّنت IBM بأنّه سيكون من الممكن بناء المعالجات الدقيقة بحوالي 20 مليار ترانزستور.[/rtl]
[rtl]“أنا لستُ متفاجئًا، لأن هذا تمامًا ما تنبّأَت به خارطة الطريق، لكنّه يبقى أمرًا مُذهلًا”، كما يقول سوباشيش ميرتا (Subhashish Mirta)، مدير مجموعة أنظمة القوى (Robust Systems Group)، في قسم الهندسة الكهربائية في جامعة ستانفورد. حتى بعد أن قامت IBM بالتخلي عن الكثير من قدراتها في تصنيع أشباه الموصلات، هذا الإعلان يشير بأنّ الشركة لاتزال مهتمّة بدعم قاعدة تصنيع التقنيات العالية.[/rtl]
[rtl]“هذا يجعل IBM في موضع المقامر المحترم الذي لايريد أن يكون مالك الحصان”، هذا على حدّ تعبير ريتشارد دوهرتي (Richard Doherty), رئيس شركة Envisioneering، في سيفورد نيويورك، مشيرًا إلى حقيقة الاستحواذ على منشأة IBM لصناعة الرقاقات في فعاليّة “جلوبل فاوندريز –GlobalFoundries” الأسبوع الماضي.[/rtl]
[rtl]“لا يزالون يريدون أن يكونوا في السباق” يضيف دوهرتي.[/rtl]
[rtl]في هذه الأثناء تمنح IBM التراخيص لاستخدام التقنيات التي تطورها لعدد من المصنعين والمسابك العالمية (GlobalFoundries) المملوكة لإمارة دبي، لصنع رقاقات لشركات مثل Broadcom, Qualcomm وAdvanced Micro Devices (AMD).[/rtl]
[rtl]يجب على مصنّعي أشباه الموصلات التحديد فيما لو كان رهان IBM على السيليكون-جيرمانيوم هو أفضل طريق للمضيّ قُدمًا. يجب عليها أن تصارع مع التغيير لاستخدام الأشعة فوق البنفسجيّة الفائقة لتحديد المسارات على الرقاقات بأبعاد تقترب من قطر ذرة منفردة. في الماضي، أعلنت إنتل بأنّها ترى طريقها لتصنيع رقاقات 7-نانومتر، لكنها لم تُبين متى سيصل هذا الجيل لمرحلة الإنتاج.[/rtl]
[rtl]أيضًا رفضت IBM الإفصاح عن الموعد التقريبيّ الذي قد يصل فيه هذا الجيل لمرحلة الإنتاج التجاري. في هذه السنة، شركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات قالت بأنّها خطّطت للبدأ بتصنيع رقاقات 7-نانومتر في 2017، على عكس IBM على كل حال، لم تُظهر أي رقاقة بهذا القياس.[/rtl]
[rtl]وإنّه من غير المؤكّد فيما لو كانت مرّات التّعرض اللازمة للجيل الجديد من تقنية الطباعة بالضوء باستخدام الأشعّة فوق البنفسجية سيجعل عمليّة التصنيع العالية السرعة مستحيلة. حتى الاهتزازات البسيطة يمكنها أن تُقوّض عملية حفر المسارات الدقيقة على مقياس سُمك الجزيئة، لهذا يجب على المُصنّعين ضمان عدم تعرّض الآلات للاهتزاز وعزلها عن المحيط الخارجي.[/rtl]
[rtl]“الأشعّة فوق البنفسجية الشديدة عامل مهم آخر”، يقول موكيش كاري (Mukesh Khare)، نائب رئيس أبحاث أشباه الموصلات في IBM. لحدّ الآن، العرض التوضيحي تم في المختبرات وليس في معامل التصنيع. بلا شك الهدف هو صنع دائرة كهربائية تشغل نصف المساحة التي تحتاجها في جيل الـ 10-نانومتر والذي سُيقدّم السنة القادمة.
إعداد: منتظر حيدر.[/rtl]

IBM تفصح عن رقاقات جديدة بسعاتٍ عالية جدًّا

IBM تفصح عن رقاقات جديدة بسعاتٍ عالية جدًّا :: تعاليق

IBM تفصح عن رقاقات جديدة بسعاتٍ عالية جدًّا